自己バンドギャップ変調を持つ接合ナノワイヤ構造体の高速形成

2012.01.23

NIMS 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 (MANA) の深田直樹グループリーダーらは、テーパー構造を有し、内部にpn接合を持ったシリコンからなる新しいナノ構造を高速形成する成長技術を開発しました。

独立行政法人物質・材料研究機構 (理事長 : 潮田資勝) 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の深田直樹グループリーダーらは、テーパー構造を有し、内部にpn接合を持ったシリコンからなる新しいナノ構造を高速形成する成長技術を開発しました。

その構造によって、pn接合を平面構造に比べ実効的に100倍にすることも可能であります。

pn接合を内部に形成したテーパー構造を有するシリコンナノワイヤを太陽電池に採用することで、太陽電池の高効率化につながる可能性があります。また、シリコンの消費量の低減にも役立ち、コスト削減も期待できます。

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本研究成果の発表用ポスター

本研究成果は、2012年2月15日 (水) から17日 (金) の期間に東京ビッグサイトで開催される「nano tech 2012」においてポスター発表する予定です。

深田グループでは今後、高効率化の実証向け、研究・開発に取り組んでまいります。

なお、2012年1月16日の日本経済新聞朝刊に同様の趣旨の記事が掲載されていますが、これは研究を担当する深田グループリーダーの意図する表現にはなっておりません。