NIMS賞受賞者決定、2013年度NIMSコンファレンスにて授賞式と記念講演を開催
高性能ディスプレイを実現したIGZO-TFTの発明、常識を覆した鉄系超伝導体の発見、元素戦略の先駆けとなった研究の世界的インパクトを評価
2013.05.09
独立行政法人物質・材料研究機構
NIMSは、今年度のNIMS賞の受賞者を決定いたしました。7月に開催されるNIMS コンファレンスにおいて賞の授与式、並びに受賞記念講演が行われます。
概要
NIMSコンファレンス
NIMSコンファレンスは、毎年、世界トップレベルの研究者が集まり、材料科学・ナノテクノロジーの観点から様々な問題を議論し、最新の研究成果を発表する国際会議です。独立行政法人物質・材料研究機構 (理事長 : 潮田 資勝 (以下、NIMS) ) が主催し、今年は第10回の記念大会となります。
今回のテーマは“機能性原子/分子薄膜の構造制御とその応用”。半導体集積回路に代表される電子デバイス、エレクトロニクスなどユビキタスコンピューティング社会を支える基盤技術について最新成果と今後の展望について活発な議論が行われます。開催は7月1日 (月) ~3日 (水) の3日間、会場はつくば国際会議場です。
電子デバイスはこれまで高集積化、微細化をすすめることで高速化と低消費電力化を進めてきましたが、今やその限界に近づいています。そのため、新材料と新構造でその限界を超える必要があります。注目されているのは多様な機能をもつ新材料です。特に有機分子は層状に成長が可能なことから2次元デバイスとしても有効ですし、最近では無機材料との融合で新しい機能を発現することも可能になっています。また、これらの材料を成長させる原子層堆積法やナノシートを使った超薄膜も注目を集めています。ナノ構造を評価する方法としてX線や中性子線をつかった表面分析手法も大きな発展をみせています。今回のNIMSコンファレンスでは、こうした新材料や評価技術を皆様にご紹介するとともに、将来のナノエレクトロニクス材料に関する幅広い情報の交換の場となります。
今回のテーマは“機能性原子/分子薄膜の構造制御とその応用”。半導体集積回路に代表される電子デバイス、エレクトロニクスなどユビキタスコンピューティング社会を支える基盤技術について最新成果と今後の展望について活発な議論が行われます。開催は7月1日 (月) ~3日 (水) の3日間、会場はつくば国際会議場です。
電子デバイスはこれまで高集積化、微細化をすすめることで高速化と低消費電力化を進めてきましたが、今やその限界に近づいています。そのため、新材料と新構造でその限界を超える必要があります。注目されているのは多様な機能をもつ新材料です。特に有機分子は層状に成長が可能なことから2次元デバイスとしても有効ですし、最近では無機材料との融合で新しい機能を発現することも可能になっています。また、これらの材料を成長させる原子層堆積法やナノシートを使った超薄膜も注目を集めています。ナノ構造を評価する方法としてX線や中性子線をつかった表面分析手法も大きな発展をみせています。今回のNIMSコンファレンスでは、こうした新材料や評価技術を皆様にご紹介するとともに、将来のナノエレクトロニクス材料に関する幅広い情報の交換の場となります。
■NIMSコンファレンス概要
日程 : 7月1日 (月) ~3日 (水) (ただし、NIMS賞授賞式と受賞記念講演は7月1日)
場所 : つくば国際会議場 (エポカルつくば)
http://www.nims.go.jp/nimsconf/2013/
日程 : 7月1日 (月) ~3日 (水) (ただし、NIMS賞授賞式と受賞記念講演は7月1日)
場所 : つくば国際会議場 (エポカルつくば)
http://www.nims.go.jp/nimsconf/2013/
NIMS賞 受賞者発表
NIMSコンファレンスでは、物質・材料に関わる科学技術において優れた業績を残し、かつNIMSの発展に多大な貢献をされた研究者にNIMS賞を授与しております。上記テーマに沿って世界各国のトップ科学者から候補者をノミネートし、中立有識者で構成された委員会により厳正に最終選考を行った結果、今年は東京工業大学の細野秀雄先生に受賞者が決定いたしました。NIMSコンファレンスにおける受賞セレモニーの後、受賞記念講演が行われる予定です。
関連ファイル・リンク