第133回先端計測オープンセミナー

ヘリウムイオン顕微鏡法を用いた電位分布画像化

開催日: 2018.10.29 終了

日時

2018年10月29日 (月) 15:00-16:00

会場

国立研究開発法人 物質・材料研究機構
千現地区 研究本館8階 中セミナー室
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参加方法及びお問合わせ

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講演者

酒井智香子 NIMSポスドク研究員 (ナノ材料科学環境拠点(GREEN) 計測分野 ナノ表界面計測グループ)

表題

ヘリウムイオン顕微鏡法を用いた電位分布画像化

講演要旨

ヘリウムイオン顕微鏡法は、2006年にWardらによって開発された画像化技術である。ナノスケールの高空間分解能や低伝導度性材料の高観察能力を有する。デバイスの電位分布画像化は、デバイスの活性サイトの位置を把握するための直接的な方法である。そこで、高空間分解能での電位分布測定技術の開発を行うことを目的とし、内部電極に電圧を印加した積層型セラミックコンデンサ断面の二次電子(SE)像を、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて観察した。SE像に電位差を反映したコントラストが観察された。新しい電位分布計測技術の開発ができたと考える[1, 2]。上記に加え、発表者が物質・材料研究機構での約4年間に行った研究について発表する。

[1] C. Sakai et al., Appl. Phys. Lett. 109 (2016) 051603.
[2] C. Sakai et al., J. Vac. Sci. Technol. B 36 (2018) 042903.

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イベント・セミナーデータ

イベント・セミナー名
第133回先端計測オープンセミナー
ヘリウムイオン顕微鏡法を用いた電位分布画像化
会場
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
千現地区 研究本館8階 中セミナー室
開催日: 時間
2018.10.29
15:00~16:00
参加料
無料

お問合わせ

国立研究開発法人　物質・材料研究機構　先端材料解析研究拠点運営室
Tel:029-859-2643/2839
Fax:029-859-2801
E-Mail: amc=ml.nims.go.jp([ = ] を [ @ ] にしてください)
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