レアメタルを用いない酸化アルミニウム系メモリの集積化プロセスの開発に成功

レアメタル使用量ゼロの集積メモリ

2011.01.27

独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 (理事長 : 潮田資勝) の原田善之特別研究員らの研究チームは、希少金属を用いない、オールアルミ系抵抗変化型メモリ素子の集積化プロセスの開発に成功した。これにより、次世代半導体デバイスにおけるレアメタル使用量の大幅削減に道が開かれた。

概要

プレス資料中の図1 : アルミナReRAMデバイスの構造

<謝辞>
本研究成果は、文部科学省元素戦略プロジェクト及び世界トップレベル研究拠点(WPI)プログラムの助成を受け達成された。